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北京飞凌科讯电子技术有限公司

英飞凌IGBT MOSFET单管;瑞萨IGBT单管;铝电解电容;高频瓷介电容;IKP15N60T;IKW30N60...

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供应原装德国英飞凌IGBT单管
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产 品: 供应原装德国英飞凌IGBT单管 
单 价: 面议 
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更新日期: 2011-05-05  有效期至:长期有效
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供应原装德国英飞凌IGBT单管详细说明

Infineon(英飞凌)是原西门子半导体集团股票独立上市公司。功率半导体一直是西门子半导体的核心产品。西门子在全球率先推出NPT-IGBT,具有高可靠、低成本的最优性能价格比。IGBT 芯片产量全球第一,当今全球每三片IGBT芯片就有一片是英飞凌生产的。英飞凌不仅生产IGBT芯片,还生产各种封装形式的IGBT单管、快恢复二极管等;IGBT模块、可控硅等归属于其100%子公司――EUPEC生产。

一、

2

Infineon高频600V IGBT2优质单管(硬开关频率fK≤150KHZ)

D PAK封装型号

SKB06N60HS

SKB10N60HS

SKB15N60HS

参数 Tc=100℃

6A/600V

10A/600V

15A/600V

TO-247封装型号

SKW20N60HS

SKW30N60HS

参数 Tc=100℃

20A/600V

30A/600V

☆开关频率可高达150KHz(硬开关) ☆可替代许多MOSFET应用领域 ☆内置Emcon快恢复二极管

二、Infineon快速型1200V IGBT2优质单管(硬开关频率≤50KHZ)

TO-247封装型号

SKW07N120

SKW15N120

SKW25N120

参数 Tc=100℃

7.9A/1200V

15A/1200V

25A/1200V

☆开关频率可达50KHz(硬开关) ☆内置Emcon快恢复二极管

英飞凌(Infineon)“SKW”系列均采用NPT-IGBT技术,NPT-IGBT优质单管具有:

◆正温度系数饱和压降,易于并联,具有类MOSFET特性。◆参数离散性小,便于批量生产。◆开关速度快,高频特性好。

◆拖尾电流小,且随温度增加不明显增加高温特性优异。 ◆无锁定效应,过载能力强,可靠性高。

三、

2

Infineon 600V低饱和压降型IGBT3单管(硬开关频率fK≤50KHZ)

D PAK封装型号

IKB04N60T

IKB06N60T

IKB10N60T

IKB15N60T

IKB20N60T

参数 Tc=100℃

4A/600V

6A/600V

10A/600V

15A/600V

20A/600V

TO-220Full型号

IKA06N60T

IKA10N60T

IKA15N60T

参数 Tc=100℃

6A/600V

10A/600V

15A/600V

TO-220封装型号

IKP06N60T

IKP10N60T

IKP15N60T

IKP20N60T

参数 Tc=100℃

6A/600V

10A/600V

15A/600V

20A/600V

TO-247封装型号

IKW20N60T

IKW30N60T

IKW50N60T

IKW75N60T

参数 Tc=100℃

20A/600V

30A/600V

50A/600V

75A/600V

☆TC=25℃ VCE(sat)=1.50V ☆最大工作结温可达Tjmax≤175℃ ☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管

☆采用沟槽栅+电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术☆可靠性高,高温性能稳定,特性优异,具有最优的性能价格比

四、Infineon 1200V低饱和压降型IGBT3单管(硬开关频率fK≤20KHZ)

TO-247封装型号

IKW08T120/T2

IKW15T120/T2

IKW25T120/T2

IKW40T120/T2

参数 Tc=100℃

8A/1200V

15A/1200V

25A/1200V

40A/1200V

☆TC=25℃ VCE(sat)=1.70V ☆正温被系数饱和压降易于并联 ☆TO-247封装易于安装

TM

☆采用沟槽栅+电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术 ☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管



英飞凌全新原装,品质保证,价格优势,欢迎来电洽谈!

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品牌英飞凌型号IKW20N60T
种类结型(JFET)沟道类型N沟道
导电方式增强型用途FM/调频
封装外形CHIP/小型片状材料N-FET硅N沟道
开启电压20(V) 夹断电压1(V)
低频跨导5(μS) 极间电容1(pF)
低频噪声系数1(dB) 最大漏极电流1(mA)
最大耗散功率1(mW)
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